Wafer Analysis|矽晶圓分析系統|碳氧缺陷分析|磊晶量測

▸具有優秀感度表現的FTIR儀器搭配wafer分析專屬配件

▸使用者定義分析點位及數量自動化分析流程

▸值得用戶信賴的儀器保障:紅外光源、雷射、干涉儀最高10年保固

▸遵循ASTM方法的可靠的性能審認試驗(performance verification test)

▸儀器內部備有可追溯聚苯乙烯(polystyrene)標準片,方便用戶隨時均可確認儀器保持在最佳狀態

▸友善的軟體介面與儀器搭配、專業的售後技術支援,對於設備不熟悉的用戶可將人員自行研究成本大幅降低

 

自動化晶圓分析系統


快速分析晶圓中的 EPI、BPSG、氧和碳

 

自動化分析在軟體中選擇分析方法自動量測並產生分析結果

適用於量測2至12吋晶圓專用分析底板

BPSG
軟體內BPSG分析視窗呈現濃度分析數值可列印製成報告

精準分析 3 微米 (micron) 超薄磊晶層的直接測量方法

FTIR的倒頻譜(Cepstrum)對⼩⾯積埋層具有更⾼的靈敏度,分析極限達 0.25 微米

Cepstrum
Thermo Scientific 倒頻譜(Cepstrum)精度佳優於曲線擬合

 

⽤於 Epi 晶圓採樣的反射光路,使用干涉儀轉換紅外線(IR)光源在⼲涉儀中變換,從 Epi Wafer樣品的表⾯反射並產⽣隨後分析厚度值的訊號,達偵測器接收。

wafer FTIR
FTIR 光譜儀的光學原理圖

數分鐘內即可得到矽晶圓中碳氧含量的分析結果

適用於量測2至12吋晶圓專用分析底板

Reproducibility of Determinations
wafer mount