FTIR (Fourier Transform Infrared) 是測量磊晶 (Epi) 厚度、測量矽中的雜質和監測介電性的最重要技術，如半導體行業中的硼磷矽玻璃 (BPSG)、FSG、PSG 等。目前FTIR 正在從主要的晶圓供應鏈品質控制，發展為測試晶圓的監控技術，更重要的是，它是一種監控設備。與XRD （X光繞射分析）技術相比，IR光提供分子訊息，與薄膜的結晶度無關。
遇到磊晶(Epi)厚度集成電路結構，FTIR 提供了一種快速、精確的測量方法。 由於工業需要使用更薄的 Epi 用於新 IC 設計的層結構，使用不同的IR光執行測量方法。以倒頻譜(Cepstrum)計算的實際限制到目前為止顯示為 0.25 微米，像這樣困難的樣本1 W-cm 襯底上的 10 W-cm Epi 層已經證實可被測量，以及具有小於一個數量級摻雜差異的分辨能力。
使用自動化晶圓分析設備，在品質監控與例行性取樣檢測，採取手動取片的方式，或是整批量的進樣，搭配晶圓分析配件，可以快速設定自動定位點，進行多點分析。使用傅立葉轉換紅外線光譜儀，無論在CO碳氧缺陷分析，或是BPSG成分分析，以及Epi磊晶厚度分析，均可於不破壞樣品的情況下，於數分鐘內取得分析結果。
本文我們將簡單說明幾個常見的問題與可能的原因及相關訣竅 根據分類如下： 1.儀器問題 2. 來自配件的問題(點我快速前往) 3. 來自樣品本身的問題(點我快速前往) 4. 數據處理或參數設定的問題
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