台灣半導體產業蓬勃發展，製程中使用到的氟化氣是最主要的反應氣體，也同時是溫室氣體，例如NF3、CH4、SH6、CH2F2等等。因此部分的工廠會引入所謂的減排裝置(abatement tools)再這些氣體進入洗滌塔之前破壞或是稀釋，確保符合相關的排放標準。
因此減排裝置的效率會直接影響到排放量，所以會需要去經常性地確認效率是否有下降的趨勢，但是在一個半導體工廠中，每一個產線就會需要一部減排裝置，這代表用於檢查的分析設備需要基本的準確之外，也要能夠同時分析多種的氟化物，目前普遍使用氪氣追蹤劑(Krypton gas tracer)與質譜監控減排裝置的入口，在出口端需要額外一台高感度的FTIR分析可能未處理乾淨的氟化物。不過在考量到龐大的減排系統，工廠需要一台可以涵蓋上述三種設備分析能力的系統。
針對氣體分析設計MAX-iR搭配自動化採樣器ASC-10就可以符合上述的工廠分析需求。首先ASC-10可以用於觀測氣流中稀釋的示蹤劑來做到準確的量測，不須使用過去相對占空間且昂貴的質譜儀。此外在過去的FTIR會因為氣體量測槽的大小限制分析的濃度範圍，量測槽太長，會導致偵測器飽和，反之會無法量測低濃度的化合物。在搭配ASC-10之後，MAX-iR本身具有近10公尺的氣體量測槽，可以分析ppm等級的氣體，也可以藉由ASC-10的稀釋，分析%等級的氣體。
在減排裝置的排放分析中，會在圖中減排裝置之後，大概位於C處加入示蹤劑氣體，並且在D處的管道中心處採樣來取得減排裝置中的稀釋比率，用於後續減排裝置效率的計算。
在樣品氣流進入減排裝置前的總體積(TVFin)也可以利用類似的方法，在製程階段的位置，例如蝕刻站或是無塵室導入示蹤氣體，例如圖中的A處，接著在抽氣裝之後，例如圖中的B處進行量測。
計算減排裝置前後的TVF比例就可以得知稀釋參數(dilution factor; DF)，加入減排裝置對各GHG的破壞效果，經過計算就可以得知減排裝置前後應該要有的濃度變化，可能會在數百甚至數千之間。然後MAX-iR與ASC-10的搭配加上圖譜範圍的選擇，使得MAX-iR可以同時分析高低濃度的差異，進一步分析取得實際在減排裝置前後各GHG的濃度，因此就可以直接得出減排裝置的效率。
以常見的蝕刻製程氣體C4H8為例，在低排裝置前測得的濃度為854.5ppm，在低排裝置後，即便圖譜中有許多水氣與二氧化碳干擾，仍然可以根據C4H8的特徵圖譜位置來進行定量，測得濃度為7.92ppm。如果以C4H8做為示蹤氣體，確認稀釋參數為9.75，經過最終換算，可以知道低排裝置的效率仍有91%。
此外在電漿製程當中，也可能會出現其他的GHG副產物，例如CO跟CO2等大宗GHG，其他副產物可能還有COF2、CF4、SiF4與C2F6。而歸功於圖譜本身的加成性，剩下未定義的訊號，透過MAX-iR軟體的資料庫比對，最後一個副產物應該還有C2F4存在。
總結來說，MAX-iR加上ASC-10的組合，具備同時分析所有紅外響應的氣體分析，而且在ASC-10的固定稀釋與示蹤劑的配合，除了可以分析高低濃度相距1000被的化合物，還可以計算判斷低排裝置效率的稀釋參數。最終在副產物的分析中，可以根據工廠預先建立的檢量線分析，還可以透過NIST/EPA資料庫比對未知的波峰訊號，除了簡化整個過程與空間，分析時間也大幅減少1至1.5個小時。
