雷射粒徑分析儀|Sympatec HELOS|利泓科技

ISO13320規範制定廠商

具備乾粉、噴霧、吸入劑、分散液、乾濕二合一及特殊微量樣品等量測能力

 

粒徑分析範圍從0.1到8750微米

 

可與製造產線串接進行連續分析,自動化回饋調整產線參數

雷射粒徑分析儀分析原理

雷射粒徑分析原理

雷射粒徑的原理來自於雷射光對不同粒徑大小的繞射,並在偵測器上產生電子訊號,以篩網分析為例,Sympatec的偵測能力等同於31個不同目數的篩網相疊所取得的粒徑分布解析度,但是可以在數分鐘內取得樣品的粒徑分布與累積粒徑,同時按照使用者的設定計算出不同的監控參數,例如D50、D90。

準確性來自於不受空間位置而改變粒徑分析結果的光學設計

雷射粒徑的分析準確性是至關重要的,Sympatec HELOS在量測的設計上,即使粒子存在於量測區域中的不同位置,只要是相同的粒徑,都可以經過透鏡在偵測器上相同的感測區產生訊號,代表物料在量測過程可以完整的分散,取得具有代表性的粒徑分布數據。

根據物料的形式選擇您需要的粒徑分析設備組合

雷射粒徑分析儀主要架構

Sympatec自詡為系統化的粒徑分析技術製造工廠,所有的產品都由 『進料系統』 『分散系統』 『分析感測器』 『數據收集與傳輸』 組成,根據樣品的型態(粉末、顆粒或噴霧)與分析環境(乾粉、液態),還有粒徑分布範圍,Sympatec都可以提供最適合的組合。

分析儀器最重要的是提供穩定而準確的分析結果來協助判斷產品的品質與規格,而使用雷射繞射作為分析原理的粒徑分析設備都是透過顆粒在偵測上的繞射波紋來做計算,要考慮到(1)設備能不能分析到獨立的顆粒,而且(2)顆粒的位置不影響到繞射波紋的產生,此外就是(3)顆粒大小的分群精細度。在第一點主要是能不能對顆粒進行有效的分散,讓光源可以在每一個顆粒產生獨立的繞射波紋,確保不會分析到團聚再一起的顆粒。第二點則是要考慮設備的光學系統,光源與顆粒接觸之後產生的繞射波紋,必須經過正確的聚焦,讓量測區域中不同位置但是大小相同的顆粒都可以在同一個感測區上成像,某些廠牌為了減少位置差異產生的偏差,犧牲掉顆粒的分散效果,需要特別注意。第三點則是感測區的分級,就像有越多不同目數的篩網疊在一起可以取得越精細粒徑分布的效果,如果分級不夠多,很難去觀察到批次間細微的差異

除了要考慮粒徑分布的分級程度之外,也可以考慮去觀察顆粒的外觀與形狀,由於一般粒徑分布是採用雷射繞射,從繞射波紋去依照費氏或米氏進行計算,主要會假設顆粒是正球體的方式,但是在某些後端應用如果是遇到要將顆粒打錠等需要將顆粒堆疊的方式,那顆粒的形狀就會是很關鍵的影響因素。產線上的參數如果有差異,最終也會影響到顆粒的外觀與形狀,但因為在粒徑的計算上類似所以會給人批次之間沒有差異的假象,實際上如果更改計算的結果,改採用長寬比的方式進行統計,也許會發現批次之間的長寬比並不穩定,進一步影響到後續應用。而如果要觀察到顆粒的外觀與形貌,那就需要使用到動態影像分析,藉由快速拍照的方式,紀錄與統計量測的顆粒外觀。